プッシュプル実験回路の再修正
（2017.11.28作成）
ユニバーサルシングルアンプの調子が（使い勝手も）良いので、プッシュプルアンプに取り組む意欲が低下気味です。
プッシュプル試験機のＢ電源をシングル機と同じにしました。ＯＰＴにはＳＧ（UL５０％）端子があり基本的にそれを使うのが一番良さそうなのでＵＬ分圧用のＶＲはスペースを食うので止めにして、保険的に固定抵抗分圧（ＵＬ３３％）だけを用意しておきます。ドライバの電源と回路は作り直しが面倒なので以前のをそのまま使用。ユニバーサル機（実機）に仕上げるときはシングル機と同形（１個のＰＴ）にします。ＳＧへは発振抑止の抵抗を入れられるようにＩＣソケット（２P）を接続、Ｉｓｇを測れるように１０Ωを入れておきます。今まで使っていたＰＴ（Ｚ－１）は実機で使う事にして、５０Ｗ（Ｚ－０５）に交換。
動かしてみたらノイズが少し多い感じで、ドライバ基板の電源フィルタや信号入力線の引き回しなどをいじりましたが変わりなく、結局ドライバ基板近くのＢ電源用ＰＴの誘導が原因だったようです。ＰＴを少し遠ざけて配置して改善しました。
５結： Ｊ１、Ｊ５ショート
UL３３％： Ｊ１、Ｊ４ショート
UL５０％： Ｊ２、Ｊ５ショート
ＵＬ１００％（３結）： Ｊ３、Ｊ５ショート
プッシュプルでの動作はシングルより単純です。
３極管の場合、Ｉｐ－Ｅｐ特性でＥｃ＝０とロードライン（ＲＬ／４）の交点（Ｉｐｍａｘ）と原点で２等辺三角形になる形が最大出力が得られる状態です（ｒｐ≒ＲＬ／４になります）。無信号時のＩｐ（とＩｐｍａｘの比）は、動作クラス（Ａ～ＡＢ～Ｂ）の度合いを変えるだけになります。ただ最適の場合Ｉｐｍａｘはかなり高めの傾向になりＯＰＴを適切に選ばないと高出力時の低域特性の劣化が著しくなります。球で最大Ｉｋを出し切れない恐れもあります。歪率などの特性を考えた場合、最適（最大出力の得られる）ＲＬより高めを使用した方が良い結果が得られるようです。
５極管の場合は、肩特性を（Ｉｐｓ、Ｅｐｓ）とすればＲＬ／４≒（Ｅｐ－Ｅｐｓ）／Ｉｐｓ辺りが歪特性の分岐点となり、Ｅｐを高くする（あるいはＥｓｇを下げる）かＲＬを小さくすれば２次歪主体の動作となりＰＰでの打ち消しが上手くいくと思われます。Ｅｐを高くするのは最大プレート損失の関係でＩｐとＩｐｍａｘの比が大きくなり好ましくはありません。ＵＬ動作の場合は肩特性（２次歪主体への分岐点）自体がハッキリしません。
結局はカットアンドトライが主体で、という事になります。
お試しに最初の実機では電圧調整できず結果がイマイチだった８Ｂ８を、ＲＬ＝５ＫΩ固定で色々と動かしてみました。
しかし全般に高域の歪率が悪く８Ｂ８はやはり使えないなと思い、１２ＧＢ３で前試験の状態を作ろうと調整したのですが全般的に歪率（とくに８Ｂ８同様高域）が悪く上手くいきません。ドライバ基板をいじった為かと、散々にあがいた結果、差動増幅のドライバ自体がダメな事が分かりました。
ドライバのバイアスは、振幅が取れる範囲で出来るだけ浅い方が当然直線性（歪率）が良好になるだろうと、いままでコレクタ電圧は３０Ｖ程度で試験してました。しかし周波数特性をみたら一寸解せない結果でした。
Ｅｃ＝約３０Ｖ、出力振幅＝約５Ｖ（１４Ｖｐ－ｐ）での測定です。
高域ほど差動増幅的から外れてるようです。何故なのか？前のＰＰ試験ではどうして普通に良い特性をだせたのか？皆目分かりません。
それにドライバをどう改善すればいいのか私の知恵では？？なので、取りあえずとＥｃを変えて特性を測ってみました。
これまた驚きです。１００Ｖくらいまで上げると、３次歪は増加しますがフラットな特性で差動増幅的な感じになってます。これ以上は３次歪が少しずつ増加していくだけのようです。
なので理由付けはこの際うやむやにして、この試験機においてはＥｃ＝１１５Ｖ位を既定値として動かすことにしました。
改めて８Ｂ８の試験です。
データシートから肩特性は
Ｅｐ≒４０Ｖ、Ｉｐ＝１７５ｍＡ （Ｅｓｇ＝２００Ｖ）
Ｅｐ≒５０Ｖ、Ｉｐ＝１５０ｍＡ （Ｅｓｇ＝１７０Ｖ）
計算上はＥｓｇ＝２００Ｖの場合はＥｐ≒２６０Ｖ（Ｐｏ≒１９Ｗ）、Ｅｓｇ＝１７０Ｖの場合はＥｐ≒２４０Ｖ（Ｐｏ≒１４Ｗ）となりますが、Ｉｐｍａｘ／Ｉｐ比が大きすぎて現実的ではないでしょう。Ｅｐを２２０Ｖ位を中心にＥｓｇの加減も見ながら良い所を探しました。
Ｅｐ＝２２０Ｖ
Ｉｋ＝２３．７／２２．５ｍＡ
Ｅｓｇ＝２２０／２１３Ｖ
Ｅｃ＝－１８．８／－１９．５Ｖ
ＵＬ＝０％（５結）
ヒーターは２本直列で１５ＶACアダプターを接続
ＮＦなし歪率特性
Ａ（１ＫＨｚ、１Ｗ）＝４４．５ｄＢ
ＣＬ（１ＫＨｚ）＝１０．３Ｗ
NF１０ｄBでの歪率特性と周波数特性（１Ｗ）
（周波数特性（レベル）は基本波のレベル表示）
Ａ（１ＫＨｚ、１Ｗ）＝３４．５ｄＢ
ＣＬ（１ＫＨｚ）＝１０．０Ｗ
Ｅｐ＝２３５Ｖ
Ｉｋ＝２９ｍＡ
Ｅｓｇ＝２３０Ｖ
Ｅｃ＝－１９．０／－１９．８Ｖ
ＵＬ＝５０％（ＳＧタップ）
ＮＦなし歪率特性
Ａ（１ＫＨｚ、１Ｗ）＝４１．８ｄＢ
ＣＬ（１ＫＨｚ）＝７．７Ｗ
NF１０ｄBでの歪率特性と周波数特性（１Ｗ）
（周波数特性（レベル）は基本波のレベル表示）
Ａ（１ＫＨｚ、１Ｗ）＝３１．９ｄＢ
ＣＬ（１ＫＨｚ）＝７．６Ｗ
８Ｂ８、なかなかに侮れない特性になりました。５結でも十分な感じです。ＵＬはＩＣアンプのような歪率特性です。
次に１２ＧＢ３を動かしてみましたが、特性がバラバラ過ぎて前回並みの特性は出せず断念しました。代わりに６ＧＢ３Ａを使ってみました。こちらはペアの様な特性で調整が楽に済みました。
Ｅｐ＝２６５Ｖ
Ｉｋ＝４７ｍＡ
Ｅｓｇ＝１３０Ｖ
Ｅｃ＝－１８．２／－１８．１Ｖ
ＵＬ＝５０％（ＳＧタップ）
ＮＦなし歪率特性
Ａ（１ＫＨｚ、１Ｗ）＝４３．９ｄＢ
ＣＬ（１ＫＨｚ）＝１３．２Ｗ
NF１０ｄBでの歪率特性と周波数特性（１Ｗ）
（周波数特性（レベル）は基本波のレベル表示）
Ａ（１ＫＨｚ、１Ｗ）＝３３．９ｄＢ
ＣＬ（１ＫＨｚ）＝１３．３Ｗ
全般に低域（１００Ｈｚ以下）の歪率は中高域より劣っていますが、以前の試験で分かったとおりＯＰＴ－１５Ｐの場合は出力が上がっても特性が急激に崩れる事がないので問題ありません。ＯＰＴ－３５Ｐ（実機で使用予定）を使えば大分良好になるはずです。
無事にプッシュプルの特性が出せてホッとしました。あとはボチボチと実機製作を進めていくことにします。
ユニバーサルシングルアンプの調子が（使い勝手も）良いので、プッシュプルアンプに取り組む意欲が低下気味です。
プッシュプル試験機のＢ電源をシングル機と同じにしました。ＯＰＴにはＳＧ（UL５０％）端子があり基本的にそれを使うのが一番良さそうなのでＵＬ分圧用のＶＲはスペースを食うので止めにして、保険的に固定抵抗分圧（ＵＬ３３％）だけを用意しておきます。ドライバの電源と回路は作り直しが面倒なので以前のをそのまま使用。ユニバーサル機（実機）に仕上げるときはシングル機と同形（１個のＰＴ）にします。ＳＧへは発振抑止の抵抗を入れられるようにＩＣソケット（２P）を接続、Ｉｓｇを測れるように１０Ωを入れておきます。今まで使っていたＰＴ（Ｚ－１）は実機で使う事にして、５０Ｗ（Ｚ－０５）に交換。
動かしてみたらノイズが少し多い感じで、ドライバ基板の電源フィルタや信号入力線の引き回しなどをいじりましたが変わりなく、結局ドライバ基板近くのＢ電源用ＰＴの誘導が原因だったようです。ＰＴを少し遠ざけて配置して改善しました。
UL３３％： Ｊ１、Ｊ４ショート
UL５０％： Ｊ２、Ｊ５ショート
ＵＬ１００％（３結）： Ｊ３、Ｊ５ショート
プッシュプルでの動作はシングルより単純です。
３極管の場合、Ｉｐ－Ｅｐ特性でＥｃ＝０とロードライン（ＲＬ／４）の交点（Ｉｐｍａｘ）と原点で２等辺三角形になる形が最大出力が得られる状態です（ｒｐ≒ＲＬ／４になります）。無信号時のＩｐ（とＩｐｍａｘの比）は、動作クラス（Ａ～ＡＢ～Ｂ）の度合いを変えるだけになります。ただ最適の場合Ｉｐｍａｘはかなり高めの傾向になりＯＰＴを適切に選ばないと高出力時の低域特性の劣化が著しくなります。球で最大Ｉｋを出し切れない恐れもあります。歪率などの特性を考えた場合、最適（最大出力の得られる）ＲＬより高めを使用した方が良い結果が得られるようです。
５極管の場合は、肩特性を（Ｉｐｓ、Ｅｐｓ）とすればＲＬ／４≒（Ｅｐ－Ｅｐｓ）／Ｉｐｓ辺りが歪特性の分岐点となり、Ｅｐを高くする（あるいはＥｓｇを下げる）かＲＬを小さくすれば２次歪主体の動作となりＰＰでの打ち消しが上手くいくと思われます。Ｅｐを高くするのは最大プレート損失の関係でＩｐとＩｐｍａｘの比が大きくなり好ましくはありません。ＵＬ動作の場合は肩特性（２次歪主体への分岐点）自体がハッキリしません。
結局はカットアンドトライが主体で、という事になります。
お試しに最初の実機では電圧調整できず結果がイマイチだった８Ｂ８を、ＲＬ＝５ＫΩ固定で色々と動かしてみました。
しかし全般に高域の歪率が悪く８Ｂ８はやはり使えないなと思い、１２ＧＢ３で前試験の状態を作ろうと調整したのですが全般的に歪率（とくに８Ｂ８同様高域）が悪く上手くいきません。ドライバ基板をいじった為かと、散々にあがいた結果、差動増幅のドライバ自体がダメな事が分かりました。
ドライバのバイアスは、振幅が取れる範囲で出来るだけ浅い方が当然直線性（歪率）が良好になるだろうと、いままでコレクタ電圧は３０Ｖ程度で試験してました。しかし周波数特性をみたら一寸解せない結果でした。
Ｅｃ＝約３０Ｖ、出力振幅＝約５Ｖ（１４Ｖｐ－ｐ）での測定です。
高域ほど差動増幅的から外れてるようです。何故なのか？前のＰＰ試験ではどうして普通に良い特性をだせたのか？皆目分かりません。
それにドライバをどう改善すればいいのか私の知恵では？？なので、取りあえずとＥｃを変えて特性を測ってみました。
これまた驚きです。１００Ｖくらいまで上げると、３次歪は増加しますがフラットな特性で差動増幅的な感じになってます。これ以上は３次歪が少しずつ増加していくだけのようです。
なので理由付けはこの際うやむやにして、この試験機においてはＥｃ＝１１５Ｖ位を既定値として動かすことにしました。
改めて８Ｂ８の試験です。
データシートから肩特性は
Ｅｐ≒４０Ｖ、Ｉｐ＝１７５ｍＡ （Ｅｓｇ＝２００Ｖ）
Ｅｐ≒５０Ｖ、Ｉｐ＝１５０ｍＡ （Ｅｓｇ＝１７０Ｖ）
計算上はＥｓｇ＝２００Ｖの場合はＥｐ≒２６０Ｖ（Ｐｏ≒１９Ｗ）、Ｅｓｇ＝１７０Ｖの場合はＥｐ≒２４０Ｖ（Ｐｏ≒１４Ｗ）となりますが、Ｉｐｍａｘ／Ｉｐ比が大きすぎて現実的ではないでしょう。Ｅｐを２２０Ｖ位を中心にＥｓｇの加減も見ながら良い所を探しました。
Ｅｐ＝２２０Ｖ
Ｉｋ＝２３．７／２２．５ｍＡ
Ｅｓｇ＝２２０／２１３Ｖ
Ｅｃ＝－１８．８／－１９．５Ｖ
ＵＬ＝０％（５結）
ヒーターは２本直列で１５ＶACアダプターを接続
ＮＦなし歪率特性
Ａ（１ＫＨｚ、１Ｗ）＝４４．５ｄＢ
ＣＬ（１ＫＨｚ）＝１０．３Ｗ
NF１０ｄBでの歪率特性と周波数特性（１Ｗ）
（周波数特性（レベル）は基本波のレベル表示）
Ａ（１ＫＨｚ、１Ｗ）＝３４．５ｄＢ
ＣＬ（１ＫＨｚ）＝１０．０Ｗ
Ｅｐ＝２３５Ｖ
Ｉｋ＝２９ｍＡ
Ｅｓｇ＝２３０Ｖ
Ｅｃ＝－１９．０／－１９．８Ｖ
ＵＬ＝５０％（ＳＧタップ）
ＮＦなし歪率特性
Ａ（１ＫＨｚ、１Ｗ）＝４１．８ｄＢ
ＣＬ（１ＫＨｚ）＝７．７Ｗ
NF１０ｄBでの歪率特性と周波数特性（１Ｗ）
（周波数特性（レベル）は基本波のレベル表示）
Ａ（１ＫＨｚ、１Ｗ）＝３１．９ｄＢ
ＣＬ（１ＫＨｚ）＝７．６Ｗ
８Ｂ８、なかなかに侮れない特性になりました。５結でも十分な感じです。ＵＬはＩＣアンプのような歪率特性です。
次に１２ＧＢ３を動かしてみましたが、特性がバラバラ過ぎて前回並みの特性は出せず断念しました。代わりに６ＧＢ３Ａを使ってみました。こちらはペアの様な特性で調整が楽に済みました。
Ｅｐ＝２６５Ｖ
Ｉｋ＝４７ｍＡ
Ｅｓｇ＝１３０Ｖ
Ｅｃ＝－１８．２／－１８．１Ｖ
ＵＬ＝５０％（ＳＧタップ）
ＮＦなし歪率特性
Ａ（１ＫＨｚ、１Ｗ）＝４３．９ｄＢ
ＣＬ（１ＫＨｚ）＝１３．２Ｗ
NF１０ｄBでの歪率特性と周波数特性（１Ｗ）
（周波数特性（レベル）は基本波のレベル表示）
Ａ（１ＫＨｚ、１Ｗ）＝３３．９ｄＢ
ＣＬ（１ＫＨｚ）＝１３．３Ｗ
全般に低域（１００Ｈｚ以下）の歪率は中高域より劣っていますが、以前の試験で分かったとおりＯＰＴ－１５Ｐの場合は出力が上がっても特性が急激に崩れる事がないので問題ありません。ＯＰＴ－３５Ｐ（実機で使用予定）を使えば大分良好になるはずです。
無事にプッシュプルの特性が出せてホッとしました。あとはボチボチと実機製作を進めていくことにします。