ユニバーサルシングルアンプ(8B8-3結)
（2017.10.3作成）
最初のアンプでの候補球として購入した８Ｂ８ですが専用機での出番がなさそうなのでピンチヒッターとして使うことにしました。５結（＋UL）での特性がパッとしないので、３結（ＵＬ１００％）で動かすことにしました。短期間なので３極管部の電極はオープンにしておきます。
データシートからＥｃ＝０Ｖでのｒｐ（内部抵抗）を推定すると、Ｅｐ＝Ｅｓｇ＝１００Ｖ、Ｉｐ＝８５ｍＡなのでｒｐ≒１．２ＫΩ、Ｅｐ＝Ｅｓｇ＝１７０Ｖ、Ｉｐ＝１７５ｍＡなのでｒｐ≒１ＫΩとなります。それで理想３極管特性（２次歪無し）の最適動作点
Ｅｐ＝（（２ｒｐ＋ＲＬ）Ｐｐ）０．５
Ｐｏ（出力）＝（０．５－ｒｐ／（２ｒｐ＋ＲＬ））Ｐｐ
ｒｐ：内部抵抗 ＲＬ：負荷抵抗 Ｐｐ：プレート損失（入力）
より、ＲＬを３．５Ｋとして計算すると
Ｅｐ≒２０３Ｖ （≒（２ * １２００＋３５００） * ７））０．５））
Ｐｏ≒２．１Ｗ （≒（０．５－１２００／（２ * １２００＋３５００）） * ７）
となります。しかし実際には非対称（２次歪）特性なのでＲＬを小さめにするかＥｐを高めにする必要があります。歪を重視するなら上記計算値そのままの辺りで、カットオフ側を使わない動作とすれば良いでしょう。あとは歪率とオシロでの波形（クリップ具合）を見ながらのカット＆トライです。
上記計算式は５極管でも同様に使えます。ただしｒｐは内部抵抗ではなく、Ｅｐ－Ｉｐ特性で０Ｖから垂直に近く立上がる角度をｒｐとして代入すれば、完全な理想特性におけるＥｐ＝（ＲＬ * Ｐｐ）０．５より精度が良くなります。ただし非対称（２次歪）特性の考慮を後付けする必要があるのは同じです。
Ｅｐ＝２３０Ｖ
Ｉｋ＝３０ｍＡ
Ｅｓｇ＝２２９Ｖ
Ｅｃ＝－１９．２／－２０．５Ｖ
ＲＬ＝３．５ＫΩ
ＵＬ＝１００％（Ｊ１とＪ４をショート）
ヒーターを２本直列で１５VＡＣアダプターを使用
ＮＦなし（２次歪打ち消し最低：ＴｒＥｃ≒３０Ｖ、Ｒｅ＝４０Ω）歪率特性（Ｒ－ｃｈ）
Ａ（１ＫＨｚ、１Ｗ）＝４７．７ｄＢ
ＣＬ（１ＫＨｚ）＝１．８Ｗ
ＮＦなし（２次歪打ち消し最低：ＴｒＥｃ≒３０Ｖ、Ｒｅ＝４０Ω）歪率特性（Ｌ－ｃｈ）
Ａ（１ＫＨｚ、１Ｗ）＝４８．３ｄＢ
ＣＬ（１ＫＨｚ）＝１．７Ｗ
２次歪打ち消し（ＴｒＥｃ＝１２５Ｖ）での歪率特性（Ｒ－ｃｈ）
Ａ（１ＫＨｚ、１Ｗ）＝４５．３ｄＢ
ＣＬ（１ＫＨｚ）＝２．１Ｗ
２次歪打ち消し（ＴｒＥｃ＝１２７Ｖ）での歪率特性（Ｌ－ｃｈ）
Ａ（１ＫＨｚ、１Ｗ）＝４５．２ｄＢ
ＣＬ（１ＫＨｚ）＝２．０Ｗ
NF１５ｄBでの歪率特性と周波数特性（Ｒ－ｃｈ ：１Ｗ）
（周波数特性（レベル）は基本波だけのレベルで表示）
Ａ（１ＫＨｚ、１Ｗ）＝３０．０ｄＢ
ＣＬ（１ＫＨｚ）＝２．０Ｗ
NF１５ｄBでの歪率特性と周波数特性（Ｌ－ｃｈ：１Ｗ）
（周波数特性（レベル）は基本波だけのレベルで表示）
Ａ（１ＫＨｚ、１Ｗ）＝３０．０ｄＢ
ＣＬ（１ＫＨｚ）＝１．９Ｗ
残留雑音
ＶＲｍｉｎ Ｌ／Ｒ ≒ ６３／５０μＶ
目標値からすればほぼ十分な特性です。球（5極部）が小型ですからこれくらいが限界でしょう。
最初のアンプでの候補球として購入した８Ｂ８ですが専用機での出番がなさそうなのでピンチヒッターとして使うことにしました。５結（＋UL）での特性がパッとしないので、３結（ＵＬ１００％）で動かすことにしました。短期間なので３極管部の電極はオープンにしておきます。
データシートからＥｃ＝０Ｖでのｒｐ（内部抵抗）を推定すると、Ｅｐ＝Ｅｓｇ＝１００Ｖ、Ｉｐ＝８５ｍＡなのでｒｐ≒１．２ＫΩ、Ｅｐ＝Ｅｓｇ＝１７０Ｖ、Ｉｐ＝１７５ｍＡなのでｒｐ≒１ＫΩとなります。それで理想３極管特性（２次歪無し）の最適動作点
Ｅｐ＝（（２ｒｐ＋ＲＬ）Ｐｐ）０．５
Ｐｏ（出力）＝（０．５－ｒｐ／（２ｒｐ＋ＲＬ））Ｐｐ
ｒｐ：内部抵抗 ＲＬ：負荷抵抗 Ｐｐ：プレート損失（入力）
より、ＲＬを３．５Ｋとして計算すると
Ｅｐ≒２０３Ｖ （≒（２ * １２００＋３５００） * ７））０．５））
Ｐｏ≒２．１Ｗ （≒（０．５－１２００／（２ * １２００＋３５００）） * ７）
となります。しかし実際には非対称（２次歪）特性なのでＲＬを小さめにするかＥｐを高めにする必要があります。歪を重視するなら上記計算値そのままの辺りで、カットオフ側を使わない動作とすれば良いでしょう。あとは歪率とオシロでの波形（クリップ具合）を見ながらのカット＆トライです。
上記計算式は５極管でも同様に使えます。ただしｒｐは内部抵抗ではなく、Ｅｐ－Ｉｐ特性で０Ｖから垂直に近く立上がる角度をｒｐとして代入すれば、完全な理想特性におけるＥｐ＝（ＲＬ * Ｐｐ）０．５より精度が良くなります。ただし非対称（２次歪）特性の考慮を後付けする必要があるのは同じです。
Ｅｐ＝２３０Ｖ
Ｉｋ＝３０ｍＡ
Ｅｓｇ＝２２９Ｖ
Ｅｃ＝－１９．２／－２０．５Ｖ
ＲＬ＝３．５ＫΩ
ＵＬ＝１００％（Ｊ１とＪ４をショート）
ヒーターを２本直列で１５VＡＣアダプターを使用
ＮＦなし（２次歪打ち消し最低：ＴｒＥｃ≒３０Ｖ、Ｒｅ＝４０Ω）歪率特性（Ｒ－ｃｈ）
Ａ（１ＫＨｚ、１Ｗ）＝４７．７ｄＢ
ＣＬ（１ＫＨｚ）＝１．８Ｗ
ＮＦなし（２次歪打ち消し最低：ＴｒＥｃ≒３０Ｖ、Ｒｅ＝４０Ω）歪率特性（Ｌ－ｃｈ）
Ａ（１ＫＨｚ、１Ｗ）＝４８．３ｄＢ
ＣＬ（１ＫＨｚ）＝１．７Ｗ
２次歪打ち消し（ＴｒＥｃ＝１２５Ｖ）での歪率特性（Ｒ－ｃｈ）
Ａ（１ＫＨｚ、１Ｗ）＝４５．３ｄＢ
ＣＬ（１ＫＨｚ）＝２．１Ｗ
２次歪打ち消し（ＴｒＥｃ＝１２７Ｖ）での歪率特性（Ｌ－ｃｈ）
Ａ（１ＫＨｚ、１Ｗ）＝４５．２ｄＢ
ＣＬ（１ＫＨｚ）＝２．０Ｗ
NF１５ｄBでの歪率特性と周波数特性（Ｒ－ｃｈ ：１Ｗ）
（周波数特性（レベル）は基本波だけのレベルで表示）
Ａ（１ＫＨｚ、１Ｗ）＝３０．０ｄＢ
ＣＬ（１ＫＨｚ）＝２．０Ｗ
NF１５ｄBでの歪率特性と周波数特性（Ｌ－ｃｈ：１Ｗ）
（周波数特性（レベル）は基本波だけのレベルで表示）
Ａ（１ＫＨｚ、１Ｗ）＝３０．０ｄＢ
ＣＬ（１ＫＨｚ）＝１．９Ｗ
残留雑音
ＶＲｍｉｎ Ｌ／Ｒ ≒ ６３／５０μＶ
目標値からすればほぼ十分な特性です。球（5極部）が小型ですからこれくらいが限界でしょう。