シングルアンプで中型球(12GB7,16GY5,12JF5,etc)の動作試験
（2017.9.30作成）
大型球の軽い動作で十分過ぎる特性が得られたので、中型球（プレート損失１７W）で同じ位の特性が出せるか試してみました。
プレート入力１７Ｗ、ＲＬ＝３．５Ｋで適正Ｅｐ＝２４４Ｖ（＝（１７＊３５００）＾０．５）になりますが、球差を見る為Ｅｐ＝２５０Ｖ、Ｉｋ＝６８ｍＡ（ＥｃでＩｋを調整）、Ｅｓｇ＝１５０Ｖ（一部１２０Ｖ）、ＵＬ＝５０％で統一しました。ＯＰＴはＯＰＴ－１１Ｓを使用しました。
（１）１２ＧＢ７
Ｅｐ＝２５０Ｖ
Ｅｓｇ＝１５０Ｖ
Ｉｋ＝６８ｍＡ
Ｅｃ＝－２０．８Ｖ
ＲＬ＝３．５Ｋ
ＵＬ＝５０％（抵抗分圧）
ヒーターは１２VＡＣアダプターを使用
ＮＦなし（２次歪打ち消し：ＴｒＥｃ＝１５０Ｖ）での歪率特性
Ａ（１ＫＨｚ、１Ｗ）＝５０．６ｄＢ
ＣＬ（１ＫＨｚ）＝５．３Ｗ
ＮＦ１５ｄＢでの歪率特性と周波数特性（１Ｗ）
Ａ（１ＫＨｚ、１Ｗ）＝３５．６ｄＢ
ＣＬ（１ＫＨｚ）＝５．３Ｗ
（２）１２ＤＱ６Ａ
Ｅｐ＝２５０Ｖ
Ｅｓｇ＝１５０Ｖ
Ｉｋ＝６８ｍＡ
Ｅｃ＝－２１．６Ｖ
ＲＬ＝３．５Ｋ
ＵＬ＝５０％（抵抗分圧）
ヒーターは１２VＡＣアダプターを使用
ＮＦなし（２次歪打ち消し：ＴｒＥｃ＝１４１Ｖ）での歪率特性
Ａ（１ＫＨｚ、１Ｗ）＝５０．０ｄＢ
ＣＬ（１ＫＨｚ）＝５．２Ｗ
ＮＦ１５ｄＢでの歪率特性と周波数特性（１Ｗ）
Ａ（１ＫＨｚ、１Ｗ）＝３５．１ｄＢ
ＣＬ（１ＫＨｚ）＝５．４Ｗ
（３）１２ＤＱ６Ａ（３結）
３結の特性がどうなのか測定してみました。発振ぎみになったので、実験回路でＳＧとＴＴＣ０１２（Ｅ）間に４７０Ωを入れました。
Ｅｐ＝２７０Ｖ
Ｅｓｇ＝２００Ｖ
Ｉｋ＝６８ｍＡ
Ｅｃ＝－３２．０Ｖ
ＲＬ＝３．５Ｋ
ＵＬ＝１００％（抵抗分圧： ３結相当）
ＮＦなし（２次歪打ち消し：ＴｒＥｃ＝７７Ｖ）での歪率特性
Ａ（１ＫＨｚ、１Ｗ）＝４６．３ｄＢ
ＣＬ（１ＫＨｚ）＝３．２Ｗ
ＮＦ１５ｄＢでの歪率特性と周波数特性（１Ｗ）
Ａ（１ＫＨｚ、１Ｗ）＝３１．５ｄＢ
ＣＬ（１ＫＨｚ）＝３．３Ｗ
（４）１２ＪＦ５
Ｅｐ＝２５０Ｖ
Ｅｓｇ＝１５０Ｖ
Ｉｋ＝６８ｍＡ
Ｅｃ＝－２２．７Ｖ
ＲＬ＝３．５Ｋ
ＵＬ＝５０％（抵抗分圧）
ヒーターは１２VＡＣアダプターを使用
ＮＦなし（２次歪打ち消し：ＴｒＥｃ＝１３９Ｖ）での歪率特性
Ａ（１ＫＨｚ、１Ｗ）＝５０．２ｄＢ
ＣＬ（１ＫＨｚ）＝５．２Ｗ
ＮＦ１５ｄＢでの歪率特性と周波数特性（１Ｗ）
Ａ（１ＫＨｚ、１Ｗ）＝３５．２ｄＢ
ＣＬ（１ＫＨｚ）＝５．２Ｗ
（５）１６ＧＹ５
Ｅｐ＝２５０Ｖ
Ｅｓｇ＝１５０Ｖ
Ｉｋ＝６８ｍＡ
Ｅｃ＝－２１．３Ｖ
ＲＬ＝３．５Ｋ
ＵＬ＝５０％（抵抗分圧）
ヒーターは１５VＡＣアダプターを使用
ＮＦなし（２次歪打ち消し：ＴｒＥｃ＝１３５Ｖ）での歪率特性
Ａ（１ＫＨｚ、１Ｗ）＝５１．３ｄＢ
ＣＬ（１ＫＨｚ）＝５．７Ｗ
ＮＦ１５ｄＢでの歪率特性と周波数特性（１Ｗ）
Ａ（１ＫＨｚ、１Ｗ）＝３６．２ｄＢ
ＣＬ（１ＫＨｚ）＝５．６Ｗ
（６）２２ＪＦ６
Ｅｐ＝２５０Ｖ
Ｅｓｇ＝１２０Ｖ
Ｉｋ＝６８ｍＡ
Ｅｃ＝－２０．８Ｖ
ＲＬ＝３．５Ｋ
ＵＬ＝５０％（抵抗分圧）
ヒーターは１２Vと９ＶＡＣアダプターを直列使用
ＮＦなし（２次歪打ち消し：ＴｒＥｃ＝１３４Ｖ）での歪率特性
Ａ（１ＫＨｚ、１Ｗ）＝５１．９ｄＢ
ＣＬ（１ＫＨｚ）＝５．６Ｗ
ＮＦ１５ｄＢでの歪率特性と周波数特性（１Ｗ）
Ａ（１ＫＨｚ、１Ｗ）＝３７．０ｄＢ
ＣＬ（１ＫＨｚ）＝５．５Ｗ
（７）１８ＧＢ５
Ｅｐ＝２５０Ｖ
Ｅｓｇ＝１５０Ｖ
Ｉｋ＝６８ｍＡ
Ｅｃ＝－２２．１Ｖ
ＲＬ＝３．５Ｋ
ＵＬ＝５０％（抵抗分圧）
ヒーターは１２Vと５ＶＡＣアダプターを直列使用
ＮＦなし（２次歪打ち消し：ＴｒＥｃ＝１３２Ｖ）での歪率特性
Ａ（１ＫＨｚ、１Ｗ）＝５１．２ｄＢ
ＣＬ（１ＫＨｚ）＝５．６Ｗ
ＮＦ１５ｄＢでの歪率特性と周波数特性（１Ｗ）
Ａ（１ＫＨｚ、１Ｗ）＝３６．３ｄＢ
ＣＬ（１ＫＨｚ）＝５．７Ｗ
（８）２９ＫＱ６
Ｅｐ＝２５０Ｖ
Ｅｓｇ＝１２０Ｖ
Ｉｋ＝６８ｍＡ
Ｅｃ＝－２２．２Ｖ
ＲＬ＝３．５Ｋ
ＵＬ＝５０％（抵抗分圧）
ヒーターは２４Vと５ＶＡＣアダプターを直列使用
ＮＦなし（２次歪打ち消し：ＴｒＥｃ＝１３６Ｖ）での歪率特性
Ａ（１ＫＨｚ、１Ｗ）＝５１．９ｄＢ
ＣＬ（１ＫＨｚ）＝５．９Ｗ
ＮＦ１５ｄＢでの歪率特性と周波数特性（１Ｗ）
Ａ（１ＫＨｚ、１Ｗ）＝３６．９ｄＢ
ＣＬ（１ＫＨｚ）＝５．８Ｗ
２２ＪＦ６と２９ＫＱ６は、他と比べてかなり電流が流れやすいようなので、バイアス（Ｅｃ）が同程度になるようにＥｓｇ＝１２０Ｖとしました。
どれも似たような上等の特性が得られました。３結もかなり良い特性です。
１６ＧＹ５で使ったACアダプターはノイズが大きかったのかもしれません（低出力での歪が大きめでした）。
ＥｐとＥｓｇを高くすれば出力が幾分大きくなり、逆では出力は小さくなりますが歪率を低めにするという選択もあります。
水平偏向管、前回の大型球と今回の試験で、使い方（動作点）を合わせれば球種の違いは大してない事がよく分かりました。
許容プレート損失で範囲が限定されてるだけということです。
今回の様に上等の特性になってくると、簡単な仕掛けのドライバの歪率特性（歪率の大きさ）と周波数特性（位相）の関係で、２次歪打ち消し効果を出し切れないのが目立ってきます。上を見ればきりがありませんし、これより悪い特性でも聞き分けられないので良しとしましょう。
大型球の軽い動作で十分過ぎる特性が得られたので、中型球（プレート損失１７W）で同じ位の特性が出せるか試してみました。
プレート入力１７Ｗ、ＲＬ＝３．５Ｋで適正Ｅｐ＝２４４Ｖ（＝（１７＊３５００）＾０．５）になりますが、球差を見る為Ｅｐ＝２５０Ｖ、Ｉｋ＝６８ｍＡ（ＥｃでＩｋを調整）、Ｅｓｇ＝１５０Ｖ（一部１２０Ｖ）、ＵＬ＝５０％で統一しました。ＯＰＴはＯＰＴ－１１Ｓを使用しました。
（１）１２ＧＢ７
Ｅｐ＝２５０Ｖ
Ｅｓｇ＝１５０Ｖ
Ｉｋ＝６８ｍＡ
Ｅｃ＝－２０．８Ｖ
ＲＬ＝３．５Ｋ
ＵＬ＝５０％（抵抗分圧）
ヒーターは１２VＡＣアダプターを使用
ＮＦなし（２次歪打ち消し：ＴｒＥｃ＝１５０Ｖ）での歪率特性
Ａ（１ＫＨｚ、１Ｗ）＝５０．６ｄＢ
ＣＬ（１ＫＨｚ）＝５．３Ｗ
ＮＦ１５ｄＢでの歪率特性と周波数特性（１Ｗ）
Ａ（１ＫＨｚ、１Ｗ）＝３５．６ｄＢ
ＣＬ（１ＫＨｚ）＝５．３Ｗ
（２）１２ＤＱ６Ａ
Ｅｐ＝２５０Ｖ
Ｅｓｇ＝１５０Ｖ
Ｉｋ＝６８ｍＡ
Ｅｃ＝－２１．６Ｖ
ＲＬ＝３．５Ｋ
ＵＬ＝５０％（抵抗分圧）
ヒーターは１２VＡＣアダプターを使用
ＮＦなし（２次歪打ち消し：ＴｒＥｃ＝１４１Ｖ）での歪率特性
Ａ（１ＫＨｚ、１Ｗ）＝５０．０ｄＢ
ＣＬ（１ＫＨｚ）＝５．２Ｗ
ＮＦ１５ｄＢでの歪率特性と周波数特性（１Ｗ）
Ａ（１ＫＨｚ、１Ｗ）＝３５．１ｄＢ
ＣＬ（１ＫＨｚ）＝５．４Ｗ
（３）１２ＤＱ６Ａ（３結）
３結の特性がどうなのか測定してみました。発振ぎみになったので、実験回路でＳＧとＴＴＣ０１２（Ｅ）間に４７０Ωを入れました。
Ｅｐ＝２７０Ｖ
Ｅｓｇ＝２００Ｖ
Ｉｋ＝６８ｍＡ
Ｅｃ＝－３２．０Ｖ
ＲＬ＝３．５Ｋ
ＵＬ＝１００％（抵抗分圧： ３結相当）
ＮＦなし（２次歪打ち消し：ＴｒＥｃ＝７７Ｖ）での歪率特性
Ａ（１ＫＨｚ、１Ｗ）＝４６．３ｄＢ
ＣＬ（１ＫＨｚ）＝３．２Ｗ
ＮＦ１５ｄＢでの歪率特性と周波数特性（１Ｗ）
Ａ（１ＫＨｚ、１Ｗ）＝３１．５ｄＢ
ＣＬ（１ＫＨｚ）＝３．３Ｗ
（４）１２ＪＦ５
Ｅｐ＝２５０Ｖ
Ｅｓｇ＝１５０Ｖ
Ｉｋ＝６８ｍＡ
Ｅｃ＝－２２．７Ｖ
ＲＬ＝３．５Ｋ
ＵＬ＝５０％（抵抗分圧）
ヒーターは１２VＡＣアダプターを使用
ＮＦなし（２次歪打ち消し：ＴｒＥｃ＝１３９Ｖ）での歪率特性
Ａ（１ＫＨｚ、１Ｗ）＝５０．２ｄＢ
ＣＬ（１ＫＨｚ）＝５．２Ｗ
ＮＦ１５ｄＢでの歪率特性と周波数特性（１Ｗ）
Ａ（１ＫＨｚ、１Ｗ）＝３５．２ｄＢ
ＣＬ（１ＫＨｚ）＝５．２Ｗ
（５）１６ＧＹ５
Ｅｐ＝２５０Ｖ
Ｅｓｇ＝１５０Ｖ
Ｉｋ＝６８ｍＡ
Ｅｃ＝－２１．３Ｖ
ＲＬ＝３．５Ｋ
ＵＬ＝５０％（抵抗分圧）
ヒーターは１５VＡＣアダプターを使用
ＮＦなし（２次歪打ち消し：ＴｒＥｃ＝１３５Ｖ）での歪率特性
Ａ（１ＫＨｚ、１Ｗ）＝５１．３ｄＢ
ＣＬ（１ＫＨｚ）＝５．７Ｗ
ＮＦ１５ｄＢでの歪率特性と周波数特性（１Ｗ）
Ａ（１ＫＨｚ、１Ｗ）＝３６．２ｄＢ
ＣＬ（１ＫＨｚ）＝５．６Ｗ
（６）２２ＪＦ６
Ｅｐ＝２５０Ｖ
Ｅｓｇ＝１２０Ｖ
Ｉｋ＝６８ｍＡ
Ｅｃ＝－２０．８Ｖ
ＲＬ＝３．５Ｋ
ＵＬ＝５０％（抵抗分圧）
ヒーターは１２Vと９ＶＡＣアダプターを直列使用
ＮＦなし（２次歪打ち消し：ＴｒＥｃ＝１３４Ｖ）での歪率特性
Ａ（１ＫＨｚ、１Ｗ）＝５１．９ｄＢ
ＣＬ（１ＫＨｚ）＝５．６Ｗ
ＮＦ１５ｄＢでの歪率特性と周波数特性（１Ｗ）
Ａ（１ＫＨｚ、１Ｗ）＝３７．０ｄＢ
ＣＬ（１ＫＨｚ）＝５．５Ｗ
Ｅｐ＝２５０Ｖ
Ｅｓｇ＝１５０Ｖ
Ｉｋ＝６８ｍＡ
Ｅｃ＝－２２．１Ｖ
ＲＬ＝３．５Ｋ
ＵＬ＝５０％（抵抗分圧）
ヒーターは１２Vと５ＶＡＣアダプターを直列使用
ＮＦなし（２次歪打ち消し：ＴｒＥｃ＝１３２Ｖ）での歪率特性
Ａ（１ＫＨｚ、１Ｗ）＝５１．２ｄＢ
ＣＬ（１ＫＨｚ）＝５．６Ｗ
ＮＦ１５ｄＢでの歪率特性と周波数特性（１Ｗ）
Ａ（１ＫＨｚ、１Ｗ）＝３６．３ｄＢ
ＣＬ（１ＫＨｚ）＝５．７Ｗ
（８）２９ＫＱ６
Ｅｐ＝２５０Ｖ
Ｅｓｇ＝１２０Ｖ
Ｉｋ＝６８ｍＡ
Ｅｃ＝－２２．２Ｖ
ＲＬ＝３．５Ｋ
ＵＬ＝５０％（抵抗分圧）
ヒーターは２４Vと５ＶＡＣアダプターを直列使用
ＮＦなし（２次歪打ち消し：ＴｒＥｃ＝１３６Ｖ）での歪率特性
Ａ（１ＫＨｚ、１Ｗ）＝５１．９ｄＢ
ＣＬ（１ＫＨｚ）＝５．９Ｗ
ＮＦ１５ｄＢでの歪率特性と周波数特性（１Ｗ）
Ａ（１ＫＨｚ、１Ｗ）＝３６．９ｄＢ
ＣＬ（１ＫＨｚ）＝５．８Ｗ
２２ＪＦ６と２９ＫＱ６は、他と比べてかなり電流が流れやすいようなので、バイアス（Ｅｃ）が同程度になるようにＥｓｇ＝１２０Ｖとしました。
どれも似たような上等の特性が得られました。３結もかなり良い特性です。
１６ＧＹ５で使ったACアダプターはノイズが大きかったのかもしれません（低出力での歪が大きめでした）。
ＥｐとＥｓｇを高くすれば出力が幾分大きくなり、逆では出力は小さくなりますが歪率を低めにするという選択もあります。
水平偏向管、前回の大型球と今回の試験で、使い方（動作点）を合わせれば球種の違いは大してない事がよく分かりました。
許容プレート損失で範囲が限定されてるだけということです。
今回の様に上等の特性になってくると、簡単な仕掛けのドライバの歪率特性（歪率の大きさ）と周波数特性（位相）の関係で、２次歪打ち消し効果を出し切れないのが目立ってきます。上を見ればきりがありませんし、これより悪い特性でも聞き分けられないので良しとしましょう。