ユニバーサルシングルアンプ(10GK6)
（2017.10.13作成）
６ＢＱ５と６ＧＫ６、１本ずつしかありませんがＬ／Ｒペアで使えると思ったのですが、６ＢＱ５の劣化が大きかったので１０ＧＫ６（２本）を使う事にしました。
色々動作例がありそうですが、低域特性を考慮してＲＬは３．５Ｋです。
動作点は、Ｅｐ＝２０５Ｖ（最適値：（３．５Ｋ＊１２Ｗ）０．５）より少し高めを起点として探索しました。
ＥｓｇはＥｐと同等くらいにしないとダメな球なので２．５ＫタップでのＵＬ（１５％）とします。
Ｅｐ＝２４５Ｖ
Ｉｋ＝５０ｍＡ
Ｅｓｇ＝２４５Ｖ
Ｅｃ＝－６．９／－７．４Ｖ
ＲＬ＝３．５ＫΩ
ＵＬ＝約１５％（２．５Ｋタップ接続）
ヒーター２本を直列で、１２Ｖと９ＶＡＣアダプターを２個直列使用
ＮＦなし（２次歪打ち消し最低：ＴｒＥｃ≒３０Ｖ、Ｒｅ＝４０Ω）歪率特性（Ｒ－ｃｈ）
Ａ（１ＫＨｚ、１Ｗ）＝６１．３ｄＢ
ＣＬ（１ＫＨｚ）＝３．２Ｗ
ＮＦなし（２次歪打ち消し最低：ＴｒＥｃ≒３０Ｖ、Ｒｅ＝４０Ω）歪率特性（Ｌ－ｃｈ）
Ａ（１ＫＨｚ、１Ｗ）＝６１．７ｄＢ
ＣＬ（１ＫＨｚ）＝３．１Ｗ
２次歪打ち消し（ＴｒＥｃ＝２０５Ｖ）での歪率特性（Ｒ－ｃｈ）
Ａ（１ＫＨｚ、１Ｗ）＝５３．１ｄＢ
ＣＬ（１ＫＨｚ）＝３．８Ｗ
２次歪打ち消し（ＴｒＥｃ＝２０４）（Ｌ－ｃｈ）の特性は計測もれ
NF１５ｄBでの歪率特性と周波数特性（Ｒ－ｃｈ ：１Ｗ）
（周波数特性（レベル）は基本波だけのレベルで表示）
Ａ（１ＫＨｚ、１Ｗ）＝３８．０ｄＢ
ＣＬ（１ＫＨｚ）＝３．８Ｗ
NF１５ｄBでの歪率特性と周波数特性（Ｌ－ｃｈ：１Ｗ）
（周波数特性（レベル）は基本波だけのレベルで表示）
Ａ（１ＫＨｚ、１Ｗ）＝３８．０ｄＢ
ＣＬ（１ＫＨｚ）＝３．４Ｗ
残留雑音
ＶＲｍｉｎ Ｌ／Ｒ ≒ １１０／６０μＶ
まずまずの特性になりました。条件を選べば出力を大きくすることも出来ますが歪（２次、３次とも）が増えるので、ＮＦ量を大きくする必要があります。
６ＢＱ５と６ＧＫ６、１本ずつしかありませんがＬ／Ｒペアで使えると思ったのですが、６ＢＱ５の劣化が大きかったので１０ＧＫ６（２本）を使う事にしました。
色々動作例がありそうですが、低域特性を考慮してＲＬは３．５Ｋです。
動作点は、Ｅｐ＝２０５Ｖ（最適値：（３．５Ｋ＊１２Ｗ）０．５）より少し高めを起点として探索しました。
ＥｓｇはＥｐと同等くらいにしないとダメな球なので２．５ＫタップでのＵＬ（１５％）とします。
Ｅｐ＝２４５Ｖ
Ｉｋ＝５０ｍＡ
Ｅｓｇ＝２４５Ｖ
Ｅｃ＝－６．９／－７．４Ｖ
ＲＬ＝３．５ＫΩ
ＵＬ＝約１５％（２．５Ｋタップ接続）
ヒーター２本を直列で、１２Ｖと９ＶＡＣアダプターを２個直列使用
ＮＦなし（２次歪打ち消し最低：ＴｒＥｃ≒３０Ｖ、Ｒｅ＝４０Ω）歪率特性（Ｒ－ｃｈ）
Ａ（１ＫＨｚ、１Ｗ）＝６１．３ｄＢ
ＣＬ（１ＫＨｚ）＝３．２Ｗ
ＮＦなし（２次歪打ち消し最低：ＴｒＥｃ≒３０Ｖ、Ｒｅ＝４０Ω）歪率特性（Ｌ－ｃｈ）
Ａ（１ＫＨｚ、１Ｗ）＝６１．７ｄＢ
ＣＬ（１ＫＨｚ）＝３．１Ｗ
２次歪打ち消し（ＴｒＥｃ＝２０５Ｖ）での歪率特性（Ｒ－ｃｈ）
Ａ（１ＫＨｚ、１Ｗ）＝５３．１ｄＢ
ＣＬ（１ＫＨｚ）＝３．８Ｗ
２次歪打ち消し（ＴｒＥｃ＝２０４）（Ｌ－ｃｈ）の特性は計測もれ
NF１５ｄBでの歪率特性と周波数特性（Ｒ－ｃｈ ：１Ｗ）
（周波数特性（レベル）は基本波だけのレベルで表示）
Ａ（１ＫＨｚ、１Ｗ）＝３８．０ｄＢ
ＣＬ（１ＫＨｚ）＝３．８Ｗ
NF１５ｄBでの歪率特性と周波数特性（Ｌ－ｃｈ：１Ｗ）
（周波数特性（レベル）は基本波だけのレベルで表示）
Ａ（１ＫＨｚ、１Ｗ）＝３８．０ｄＢ
ＣＬ（１ＫＨｚ）＝３．４Ｗ
残留雑音
ＶＲｍｉｎ Ｌ／Ｒ ≒ １１０／６０μＶ
まずまずの特性になりました。条件を選べば出力を大きくすることも出来ますが歪（２次、３次とも）が増えるので、ＮＦ量を大きくする必要があります。